Копьев Петр Сергеевич (1946, ) - Специалист в области физики и технологии полупроводниковых наногетероструктур, член-корреспондент РАН (2008)
Копьев П.С. - специалист в области физики и технологии полупроводниковых наногетероструктур.
Основные научные результаты Копьева П.С.:
- создано термодинамическое описание процессов роста, легирования и дефектообразования при МПЭ;
- обнаружено разрушение минизоны в сверхрешетке в магнитном поле, параллельном плоскости слоев, экспериментально продемонстрированы ?-образный вид плотности состояний в структурах с квантовыми точками, показано, что гибридизация электронных и дырочных состояний на гетеропереходе InAs/GaSb ответственна за осцилляции амплитуды и полуширины линий в спектрах ЦР;
- разработаны конструкция и технология приборных структур с рекордными параметрами: создан инжекционный лазер на основе короткопериодных сверхрешеток с рекордно низкой пороговой плотностью тока (43А/см2 при 300 К), впервые в мире создан инжекционный лазер на основе квантовых точек. Созданы структуры на основе короткопериодных сверхрешеток и конструкция приборов для эффективного умножения частот СВЧ-излучения вплоть до терагерцового диапазона, созданы структуры сине-зеленых (Zn,Mg)SSe/ZnCdSe лазеров (мощность излучения до 20 Вт) при оптическом и электронном возбуждении, а также гибридные структуры А2В6/ А3В5 для эффективной инжекции спинов.
Копьев П.С. ведет преподавательскую работу в Санкт-Петербургском техническом университете и Балтийском техническом университете, под его руководством защищены 16 кандидатских диссертаций, 7 его учеников защитили докторские диссертации.
Копьев П.С. - член редколлегии журналов «Физика и техника полупроводников» РАН и «Письма в Журнал технической физики» РАН, член Президиума Санкт-Петербургского научного центра РАН, Комиссии РАН по нанотехнологиям.
Свернуть
