Гощицкий Борис Николаевич.

Гощицкий Борис Николаевич

Дата рождения: 02.02.1931

Место рождения: г. Киев

Специальность: Специалист в области радиационной физики твердого тела и нейтронных исследований вещества

Членство в РАН (1)
Ступени членства Дата избрания Специальность Отделение
член-корреспондент 26.05.2000 физика Отделение общей физики и астрономии (вакансия для Уральского отделения)

Место хранения личного дела: УКРАН

Область знаний: Физика

Биографическая справка

Гощицкий Борис Николаевич (02.02.1931 — ) Специалист в области радиационной физики твердого тела и нейтронных исследований вещества. Член-корреспондент РАН (2000).

Гощицкий Б.М. родился 2 февраля 1931 г. в г. Киеве. Окончил физико-технический факультет Уральского политехнического института (1955). В 1955 — 1965 годах работал в отраслевом НИИ Минсредмаша СССР и занимался изучением процессов разделения изотопов газодиффузионным методом. По результатам этих исследований в 1961 году защитил кандидатскую диссертацию.

Б.Н. Гощицкий с 1965 г. работает в Институте физики металлов (ИФМ) РАН в г. Екатеринбурге. В 1965-1971 гг. - в должности старшего научного сотрудника, с 1971 г. — заведующий лабораторией радиационной физики и нейтронной спектроскопии, с 1990 по 2005 гг. — заведующий отделом работ на атомном реакторе. В 1981 г. Б.Н. Гощицкий защитил докторскую диссертацию, в 1988 г. ему присвоено ученое звание профессора. В 2000 г. Б.Н.Гощицкий был избран членом-корреспондентом РАН.

Гощицкий Б.М. - член Уральского отделения РАН, председатель Научного совета по радиационной физике твердого тела; председатель Научного совета РАН "Радиационная физика твердого тела"

Борис Николаевич Гощицкий — известный в нашей стране и за рубежом физик-экспериментатор, работающий в области радиационной физики твердого тела и нейтронных исследований вещества. Им (в соавторстве) опубликованы 234 научных труда, в том числе две широко известные монографии: «Структура и магнитные свойства оксидных магнетиков, облученных быстрыми нейтронами» (1986) и «Влияние облучения на физические свойства перспективных сверхпроводников» (1989).

Б.Н. Гощицким создано новое научное направление по изучению фундаментальных физических свойств упорядоченных кристаллов методами радиационного разупорядочения, созданию в этих кристаллах устойчивых во времени термодинамически неравновесных структурных состояний с необычными физическими свойствами, недостижимыми традиционными приемами. Такие состояния открыты и изучены им в различных классах окисных магнетиков и сверхпроводящих интерметаллидов (ферриты и хромиты-шпинели, гранаты, структуры А-15, С-15, В-1, фазы Шевреля и т.д.). Он обнаружил новое физическое явление — универсальную зависимость температуры фазового перехода второго рода от концентрации новой разупорядоченной фазы. Им предложен и внедрен в практику научных исследований уникальный физически «чистый» метод изучения электронных состояний в кристаллах — радиационное разупорядочение без изменения стехиометрического состава и макрооднородности образцов. Это обеспечило приоритет отечественной науки в названной области знаний.

В работах Б.Н. Гощицкого определены основные причины радиационного изменения физических свойств важных для новой специальной техники функциональных и конструкционных материалов, выявлены специфические особенности радиационно-индуцированного аморфного состояния в металлах и сплавах и показана принципиальная возможность прогнозирования их поведения под воздействием быстрых нейтронов. Результаты этих исследований используются в новых разработках.

Высокий научный потенциал Б.Н. Гощицкого, его незаурядные научно-организаторские способности особенно ярко проявились во время становления в СССР работ по высокотемпературной сверхпроводимости. Под его руководством в результате творческого содружества молодых уральских ученых в чрезвычайно короткие сроки после появления зарубежных сообщений на эту тему были синтезированы одни из первых в стране новые сверхпроводники и начаты всесторонние исследования их фундаментальных физических свойств в ряде институтов СССР. Особое внимание было обращено на развитие исследований радиационных эффектов в ВТСП, и уже на первых международных совещаниях и конференциях представлялись работы наших ученых по этой тематике. Б.Н. Гощицким совместно с сотрудниками впервые обнаружены в высокотемпературных сверхпроводниках экспоненциальная зависимость электросопротивления от концентрации радиационных дефектов атомного масштаба и исчезновение сверхпроводимости в орторомбической фазе в присутствии таких дефектов. Пионерские исследования проблемы высокотемпературной сверхпроводимости методом радиационного разупорядочения, выполненные Б.Н.Гощицким, выявили характерные особенности новых материалов, имеющие принципиальное значение для построения теории ВТСП. Эти работы широко известны, пользуются признанием научной общественности и стимулируют постановку исследований во многих отечественных и зарубежных научных центрах. В 2002 году за цикл работ в этой области «Эффекты сильного разупорядочения в высокотемпературных сверхпроводниках — теория и эксперимент» президиум Российской академии наук присудил Б.Н. Гощицкому и академику М.В. Садовскому премию им. А.Г. Столетова.

Б.Н. Гощицкий проводит большую работу по воспитанию научных кадров. Под его руководством подготовлены и защищены 15 кандидатских диссертаций, он является членом двух диссертационных советов по защите докторских диссертаций. Будучи председателем научного совета РАН по радиационной физике твердого тела, Б.Н. Гощицкий активно внедряет методы радиационной физики в практику прикладных и научных исследований, оказывает практическую помощь научным коллективам, деятельность которых координируется советом.

Борис Николаевич — один из создателей исследовательского атомного центра на Урале. Под его руководством на атомном реакторе ИВВ-2М создан и успешно функционирует комплекс отвечающих современному уровню экспериментальных устройств и методик, позволяющих проводить облучения быстрыми нейтронами и гамма-квантами различных материалов в интервале температур 80–1000К при разных внешних условиях, а также изучать атомную и магнитную структуру конденсированных сред методами рассеяния тепловых нейтронов в интервале 2–1500К. В частности при его непосредственном участии и под его руководством разработаны, изготовлены и эксплуатируются такие уникальные установки, как единственный в СНГ канал-криостат для проведения облучений в активной зоне ядерного реактора при температуре жидкого азота, генераторы «холодных» и «горячих» нейтронов, автоматизированные нейтронные диффрактометры и спектрометры. Методические разработки Б.Н. Гощицкого в области «пучковой» реакторной экспериментальной техники чрезвычайно важны, поскольку они позволяют без дополнительных капитальных затрат ставить «тонкие» физические исследования на нейтронных пучках многоцелевых реакторов.

Гощицкий успешно развивает международное сотрудничество с известными западными научными центрами, придавая особое значение развитию совместных исследований в области радиационной физики, радиационного материаловедения, сверхпроводимости и магнетизма.

За плодотворную научную деятельность, большой вклад в развитие радиационной физики твердого тела и подготовку научных кадров высшей квалификации Б.Н.Гощицкому в 1992 году было присвоено почетное звание «Заслуженный деятель науки Российской Федерации».

Гощицкий Борис Николаевич награжден премией имени А.Г.Столетова (2005) - за цикл работ "Эффекты сильного разупорядочения в высокотемпературных сверхпроводниках: теория и эксперимент"

Источник: http://www.uran.ru/gazetanu/2006/01/nu01/wvmnu_p2a_01_012006.htm


Свернуть