Красников Геннадий Яковлевич.

Красников Геннадий Яковлевич

Дата рождения: 30.04.1958

Место рождения: г.Тамбов

Специальность: Специалист в области микро- и наноэлектроники

Членство в РАН (2)
Ступени членства Дата избрания Специальность Отделение
член-корреспондент 30.05.1997 вычислительная техника и элементная база Отделение информатики, вычислительной техники и автоматизации
академик 29.05.2008 микро - и наноэлектроника Отделение нанотехнологий и информационных технологии

Область знаний: Нанотехнологии, Информационные технологии

Биографическая справка

Красников Геннадий Яковлевич (1958, г. Тамбов) - Специалист в области микро- и наноэлектроники,

академик РАН (2008)

Геннадий Яковлевич Красников родился 30 апреля 1958 года в городе Тамбове. В 1981 г. окончил Физико-технический факультет Московского института электронной техники (МИЭТ) и был распределён инженером в НИИ молекулярной электроники и завод «Микрон» (НИИМЭ и завод «Микрон»).

В 1990 г. защитил кандидатскую диссертацию, в 1996 г. защитил докторскую диссертацию. В 1998 г. Г.Я. Красникову было присвоено звание профессора.

C 1981 года (последовательно) инженер, начальник участка, начальник цеха, заместитель генерального директора, генеральный директор (с 1991 года) ОАО «НИИ молекулярной электроники и завод „Микрон“».

В 1999—2003 годах Геннадий Яковлевич Красников - генеральный директор концерна «Научный центр» (ныне концерн «Ситроникс»).

Член-корреспондент РАН c 30.05.1997 - Отделение информатики, вычислительной техники и автоматизации (Специальность - Вычислительная техника и элементная база)

Академик РАН c 29.05.2008 - Отделение нанотехнологий и информационных технологий (микро- и наноэлектроника)

Красников Геннадий Яковлевич – специалист в области микро- и наноэлектроники.

Сфера научной деятельности Г.Я. Красникова: разработка и создание сверхбольших интегральных схем (СБИС), системная интеграция маршрутов их проектирования и изготовления на основе общих физико-технологических принципов, обеспечивающих унификацию этих технологий.

Г.Я. Красниковым был создан комплекс оригинальных научно-обоснованных технических решений, охватывающих весь технологический маршрут изготовления КМОП микросхем, являющихся основой современной теории формирования элементной базы СБИС, где определены закономерности возникновения и поведения фоновых примесей, как по границам компонентов систем «металл-окисел-кремний», так и по всей системе в целом при изготовлении микросхем с минимальными топологическими размерами от 180 нм до 65 нм. Сформирована современная теория стабилизации электрических параметров интегральных схем.

Г.Я. Красников является членом Совета при Президенте РФ по науке, технологиям и образованию, сопредседателем Совета по инновационной деятельности и наукоёмким технологиям при Комитете по науке и технологиям Государственной Думы, членом редакционной коллегии журналов «Микроэлектроника» РАН, «ЭЛЕКТРОНИКА: наука, технология, бизнес».

Г.Я. Красников заведует кафедрой «Субмикронные технологии СБИС» МИЭТ. Под его руководством защищено 3 докторских и 7 кандидатских диссертаций.

Г.Я. Красников автор 270 научных работ, из них 3 монографий и 33 изобретений.

Геннадий Яковлевич Красников - лауреат премии Правительства РФ в области науки и техники. Награжден медалью "В память 850-летия Москвы" (1997), Орденом Почета (1999), Орденом "За заслуги перед Отечеством IV степени" (2008), удостоен Серебряной медали Международного салона изобретений «Eureka - Brussel'96» (1996), удостоен Золотой и Серебряной медалей Международного салона изобретений «Eureka - Brussel'97» (1997), удостоен 4-х Серебряных медалей Международного салона изобретений «Eureka - Brussel'2000» (2000).


Свернуть