Ван Дяньцзо (1934, ) - материаловед, специалист в области техники обогащения тонких частиц, наноструктур композитных материалов;
действительный член Академии наук Китая; иностранный член РАН (2006)
Ван Дяньцзо (Wang Dianzuo / 王淀佐) - действительный член Академии наук Китая, профессор, почетный президент Пекинского центрального института цветных металлов.
Ван Дяньцзо - ученый с мировым именем, признанный специалист в области металлургии и материаловедения. Им опубликованы 8 монографий и более 300 научных работ. Под его руководством решены многие проблемы добычи, получения и очистки материалов. Им получены крупные результаты в области молекулярного проектирования, взаимодействия между твердыми частицами и разработки техники обогащения тонких частиц, исследования наноструктуры композитных материалов, разделения и очистки цветных, редких и редкоземельных металлов, биогидрометаллургии цветных металлов, растворной химии и электрохимии в процессах обработки материалов. За значительный вклад в развитие металлургической отрасли промышленности Китая Ван Дяньцзо удостоен трех государственных премий.
В разные годы Ван Дяньцзо избирался президентом Пекинского центрального института цветных металлов и ректором Южно-Центрального университета. Он является вице-президентом Академии инженерных наук Китая, иностранным членом Национальной инженерной академии США, вице-президентом Общества цветных металлов Китая, вице-президентом Ассоциации промышленности цветных металлов, возглавляет консультативные комитеты при Академии наук и Академии инженерных наук Китая.
Ван Дяньцзо активно сотрудничает с учеными Российской академии наук. Он является организатором и постоянным участником с китайской стороны совместных конференций, проводимых в рамках Российско-китайского симпозиума по новым конструкционным и функциональным материалам, который исключительно плодотворно действует на протяжении более 15 лет. Постоянными членами этих конференций являются ученые Института металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова РАН, Института физики прочности и материаловедения СО РАН, Института радиотехники и электроники РАН.
Свернуть