Лифшиц Виктор Григорьевич (1941, Харьков - 2005, Владивосток) - специалист в области физики конденсированного состояния, член-корреспондент РАН (1997)
Виктор Григорьевич Лившиц родился 21 июля 1941 г. в г. Харькове. В 1963г. окончил физический факультет Харьковского государственного университета. После окончания университета работал в Институте ядерной физике в Казахстане. В 1973 г. защитил кандидатскую диссертацию.
В 1975 г. известный ученый в области микроэлектроники Филипп Георгиевич Старос пригласил В.Г. Лившица на работу во Владивосток в лабораторию управляемого роста микроструктур Института автоматики и процессов управления ДВО РАН, которую Виктор Григорьевич впоследствии и возглавил. В 1975—1997 гг. Виктор Григорьевич Лившиц — сотрудник Института автоматики и процессов управления ДВО РАН, впоследствии - директор Института автоматики и процессов управления ДВО РАН.
В 1987 г. В.Г. Лившицу присуждена ученая степень доктора физико-математических наук, а через два года - ученое звание профессора.
С 1991 г. - декан физико-технического факультета Института физики и информационных технологий (ИФИТ) Дальневосточного государственного университета (ДВГУ); заведующий кафедры ФТМПМ ИФИТ ДВГУ.
В мае 1997 г. Виктор Григорьевич Лившиц избран членом-корреспондентом Российской академии наук по Отделению общей физики и астрономии по специальности "физика твердого тела".
С 2002 г. Лившиц В.Г. работал Главным ученым секретарем Президиума ДВО РАН.
Виктор Григорьевич Лившиц специалист в области физики конденсированного состояния.
Он автор нового перспективного направления в физике поверхности полупроводников, связанного с микроминиатюризацией полупроводниковых приборов, получаемых в условиях сверхвысокого вакуума, а именно "Взаимосвязь процессов на поверхности кремния и формирования поверхностных фаз - нового двумерного полупроводникового материала". Совместно с сотрудниками получил более двух десятков новых поверхностных фаз, разработал принципы выращивания многослойных микроструктур со встроенными поверхностными фазами, исследовал процессы соадсорбции, формирования стабильных поверхностных фаз, изучал закономерности формирования межфазовых границ и эпитаксиального роста пленок на кремниевой подложке, исследовал кристаллическую структуру ряда поверхностных фаз, вырастил суперрешетки из нанокластеров, исследовал кристаллическую и электронную структуру нанокластеров и обнаружил эффект легирования отдельных нанокластеров, изучил проводимость ряда поверхностных фаз на кремнии. Под его руководством производилось сверхвысоковакуумное оборудование, которое используется не только в различных научных учреждениях России.
В.Г. Лившиц автор более 200 опубликованных научных работ, 5 монографий и учебника для университета.Труды по физике поверхности твердого тела: диффузия, адсорбция, формирование межзонных границ, гомо- и гетероэпитаксия, сверхрешётки со встроенными поверхностными фазами.
Виктор Григорьевич Лившиц - член научного совета РАН по физике полупроводников, академик РАЕН, заслуженный деятель науки РФ; член Американской ассоциации кристаллографов.
Виктор Григорьевич Лившиц скоропостижно скончался 20 июля 2005 г. на 64 году жизни в г. Владивостоке.
Свернуть
