Лукичев Владимир Федорович.

Лукичев Владимир Федорович (1954, ) - специалист в области элементной базы вычислительных, локационных, телекоммуникационных систем;

член-корреспондент РАН (2011)

Владимир Федорович Лукичев родился 12 ноября 1954 г. В 1972 г. окончил физико-математическую школу-интернат №18 имени А.Н.Колмогорова. В 1978 г. - физический факультет Московского государственного университета имени М.В.Ломоносова.

В 1983 г. стал кандидатом физико-математических наук, а в 1997 г. - доктором физико-математических наук.

С 1988 г. Лукичев В.Ф. работает в Физико-Техническом Институте Российской Академии Наук, с апреля 2005 года - в должности заместителя директора по научной работе.

22 декабря 2011 г. Лукичев В.Ф. избран членом-корреспондент РАН по Отделению нанотехнологий и информационных технологии (Секция вычислительных, локационных, телекоммуникационных систем и элементной базы).

Основные научные результаты Лукичева В.Ф.: получены граничные условия (Куприянова-Лукичева) для квазиклассических неравновесных функций Грина, обобщение которых позволяет рассчитывать параметры структур на основе высокотемпературных сверхпроводников, джозефсоновских переходов с прослойкой из ферромагнетиков, а также многозонных сверхпроводников, таких как MgB2; разработана многокомпонентная модель реактивного ионного травления (РИТ) кремниевых микро- и наноструктур, исследованы предельные возможности РИТ, ограниченные апертурным эффектом, действием краевых полей и силами изображения; дано теоретическое обоснование апертурного эффекта, предсказан обратный апертурный эффект в процессах РИТ, что используется в проектировании интегральных схем; оптимизированы параметры технологического процесса глубокого анизотропного травления кремния с аспектными отношениями более 100, что используется при разработке и создании кремниевых микроэлектромеханических элементов для авиационных навигационных систем; разработана модель плазменно-иммерсионной ионной имплантации для формирования сверхмелкозалегающих р-п переходов, что позволило получить р-п переходы с глубиной залегания до 10 нм для создания кремниевых нанотранзисторов и твердотельных квантовых компьютеров.

Лукичев В.Ф. автор более 70 научных публикаций.

Лукичев В.Ф. – заведующий Кафедрой полупроводниковых приборов в Московском институте радиотехники, электроники и автоматики, подготовил 1 доктора и 1 кандидата наук.

Лукичев В.Ф. – ответственный секретарь журнала "Микроэлектроника", заместитель председателя диссертационного совета, член экспертного совета ВАК при Минобрнауки России по электронике.