Жуков Алексей Евгеньевич.

Список наиболее значимых публикаций:

V.M.Ustinov, A.E.Zhukov, A.Yu.Egorov, N.A.Maleev, Quantum dot lasers, Oxford University Press, 2003, Oxford Science Publications, Series on semiconductor science and technology, v. 11.

A.E.Zhukov, V.M.Ustinov, and Zh.I.Alferov, Device characteristics of low-threshold quantum-dot lasers, Selected Topics in Electronics and Systems vol.16, Advances in semiconductor lasers and applications to optoelectronics (eds. M.Dutta and M.A.Stroscio, World Scientific, Singapore, 2000), pp. 263-292.

V.M.Ustinov and A.E.Zhukov, GaAs-based long-wavelength lasers, Semicond. Sci. Technol. 15(8), R41-R54 (2000).

Патент РФ на изобретение “Способ изготовления светоизлучающей структуры на квантовых точках и светоизлучающая структура”, В.М. Устинов, А.Е. Жуков, Н.А. Малеев, А.Р. Ковш, N 2205468 от 09.07.2002.

Жуков Алексей Евгеньевич (1968, ) - Специалист в области полупроводниковых наноструктур и электронных приборов на их основе, член-корреспондент РАН (2008)

Жуков Алексей Евгеньевич родился 9 февраля 1968 года. В 1992 году с отличием окончил Ленинградский Электротехнический Институт (ЛЭТИ), (в настоящее время Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет), факультет Электронной техники, кафедра Оптоэлектроники;

В 1996 году защитил диссертацию на соискание ученой степени кандидат физико-математических наук по теме: “Квантово-размерные напряженные гетероструктуры в системе (In,Ga,Al)As: Технология получения методом молекулярно-пучковой эпитаксии и исследование свойств” в Физико-Техническом институте (ФТИ) им. А.Ф.Иоффе РАН.

В 2002 году защитил диссертацию на соискание ученой степени доктор физ.-мат. наук по теме: “Инжекционные лазеры на основе самоорганизующихся квантовых точек“ в ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН.

Жуков Алексей Евгеньевич - ведущий научный сотрудник СПб ФТНОЦ РАН (Физико-Технического института им. А.Ф.Иоффе РАН).

Член-корреспондент РАН c 29.05.2008 - Отделение нанотехнологий и информационных технологий (наноэлектроника)

Жуков А.Е. - специалист в области полупроводниковых наноструктур и электронных приборов на их основе.

Область научных интересов: физика полупроводников, эпитаксиальное выращивание полупроводниковых соединений, низкоразмерные гетероструктуры, полупроводниковые лазеры

Основные научные результаты Жукова А.Е.: разработана воспроизводимая технология синтеза многослойных массивов полупроводниковых квантовых точек, позволяющая управлять их структурными и оптическими свойствами и расширить спектральный диапазон излучения в область лазерной оптической связи; развита теория лазеров на основе многослойных массивов квантовых точек и установлена взаимосвязь электронных и структурных параметров массива квантовых точек с приборными характеристиками лазеров, объяснены эффекты отрицательной характеристической температуры и индуцированного током перехода к генерации через возбужденное состояние; разработаны высокоэффективные низкопороговые температурно-стабильные инжекционные лазеры на основе самоорганизующихся квантовых точек для систем оптической передачи информации, решена проблема надежности подобных лазеров.

Жуков Алексей Евгеньевич автор 276 опубликованных работ.

Жуков А.Е. ведет преподавательскую работу в должности профессора в Санкт-Петербургском государственном политехническом университете, Академическом физико-технологическом университете РАН, Санкт-Петербургском государственном электротехническом университете “ЛЭТИ”.

Жуков А.Е. является членом ученых советов Санкт-Петербургского физико-технологического научно-образовательного центра РАН и Академического физико-технологического университета РАН.

Длительные зарубежные визиты Жукова А.Е.:

- Hebei Semiconductor Research Institute, Shijiazhuang, Hebei, China, 1998/1999 (молекулярно-пучковая эпитаксия и исследования PHEMTs на основе InP);

- University of California, Berkeley, CA, USA, 2000 (молекулярно-пучковая эпитаксия и исследования InGaAsN гетероструктур);

Industrial Technical Research Institute, Taiwan, ROC 2001 (молекулярно-пучковая эпитаксия и исследования 1.3-мкм гетероструктур и лазеров на основе InGaAsN и квантовых точек), 2004 (молекулярно-пучковая эпитаксия и исследования 1.3-1.55-мкм InGaAsNSb гетероструктур);

- NL Nanosemiconductor GmbH, Dortmund, Germany, 2005 (молекулярно-пучковая эпитаксия и исследования 1.5-мкм метаморфных гетероструктур с квантовыми точками).