Хохлов Дмитрий Ремович.

Хохлов Дмитрий Ремович

Дата рождения: 26.12.1957

Место рождения: г.Москва

Специальность: Специалист в области физики полупроводников

Членство в РАН (1)
Ступени членства Дата избрания Специальность Отделение
член-корреспондент 29.05.2008 физика Отделение физических наук

Область знаний: Физика

Биографическая справка

Хохлов Дмитрий Ремович (1957, г.Москва) - Специалист в области физики полупроводников,

член-корреспондент РАН (2008)

Дмитрий Ремович Хохлов родился 26 декабря 1957 г. в Москве. Окончил физический факультет Московского Государственного Университета (1980).

Доктор физико-математических наук (1992 г.). Тема докторской диссертации «Примесные метастабильные состояния в теллуридах свинца и олова, легированных элементами III группы». Профессор (1998 г.),

Дмитрий Ремович Хохлов - заведующий кафедрой общей физики и магнитоупорядоченных сред МГУ (с 2006 г.)

Руководитель лаборатории физики полупроводников

Хохлов Д.Р. – специалист в области физики полупроводников.

Область научных интересов Хохлова Д.Р.: физика полупроводников, физика узкощелевых полупроводников, детекторы терагерцового излучения, органические полупроводники, физика полупроводниковых наноструктур

Хохлов Д.Р. обнаружил и исследовал новые физические явления: гигантское отрицательное магнитосопротивление с амплитудой до 106; локализация и делокализация в сверхсильных магнитных полях; СВЧ-стимуляция задержанной фотопроводимости; СВЧ-резонанс задержанной фотопроводимости; селективная фононно-стимулированная фотопроводимость. Хохлов Д.Р. разработал физические принципы работы новых фотоприемных устройств инфракрасного и терагерцового диапазонов и сконструировал инфракрасный радиометр нового типа. Хохлов Д.Р. предложил и экспериментально обосновал возможность реализации высокочувствительной «непрерывной» фокальной матрицы изображения принципиально нового типа, работающей в терагерцовом диапазоне.

Помимо вышеперечисленных областей в настоящее время Хохлов Д.Р. развивает ряд новых направлений, в частности, исследование транспортных и оптических свойств супрамолекулярных органических полупроводников, нитридов III группы и некоторых других материалов.

Хохлов Д.Р. является членом Научного совета РАН по физике полупроводников, членом ряда экспертных советов.

Дмитрий Ремович Хохлов - Лауреат Государственной премии РФ (1995 г.). Лауреат премии им. Шувалова МГУ им. М.В. Ломоносова (1995 г.).


Свернуть