Хохлов Дмитрий Ремович.
Хохлов Дмитрий Ремович Дата рождения: 26.12.1957 Место рождения: г.Москва Специальность: Специалист в области физики полупроводников |
Ступени членства | Дата избрания | Специальность | Отделение |
---|---|---|---|
член-корреспондент | 29.05.2008 | физика | Отделение физических наук |
Область знаний: Физика
Хохлов Дмитрий Ремович (1957, г.Москва) - Специалист в области физики полупроводников,
член-корреспондент РАН (2008)
Дмитрий Ремович Хохлов родился 26 декабря 1957 г. в Москве. Окончил физический факультет Московского Государственного Университета (1980).
Доктор физико-математических наук (1992 г.). Тема докторской диссертации «Примесные метастабильные состояния в теллуридах свинца и олова, легированных элементами III группы». Профессор (1998 г.),
Дмитрий Ремович Хохлов - заведующий кафедрой общей физики и магнитоупорядоченных сред МГУ (с 2006 г.)
Руководитель лаборатории физики полупроводников
Хохлов Д.Р. – специалист в области физики полупроводников.
Область научных интересов Хохлова Д.Р.: физика полупроводников, физика узкощелевых полупроводников, детекторы терагерцового излучения, органические полупроводники, физика полупроводниковых наноструктур
Хохлов Д.Р. обнаружил и исследовал новые физические явления: гигантское отрицательное магнитосопротивление с амплитудой до 106; локализация и делокализация в сверхсильных магнитных полях; СВЧ-стимуляция задержанной фотопроводимости; СВЧ-резонанс задержанной фотопроводимости; селективная фононно-стимулированная фотопроводимость. Хохлов Д.Р. разработал физические принципы работы новых фотоприемных устройств инфракрасного и терагерцового диапазонов и сконструировал инфракрасный радиометр нового типа. Хохлов Д.Р. предложил и экспериментально обосновал возможность реализации высокочувствительной «непрерывной» фокальной матрицы изображения принципиально нового типа, работающей в терагерцовом диапазоне.
Помимо вышеперечисленных областей в настоящее время Хохлов Д.Р. развивает ряд новых направлений, в частности, исследование транспортных и оптических свойств супрамолекулярных органических полупроводников, нитридов III группы и некоторых других материалов.
Хохлов Д.Р. является членом Научного совета РАН по физике полупроводников, членом ряда экспертных советов.
Дмитрий Ремович Хохлов - Лауреат Государственной премии РФ (1995 г.). Лауреат премии им. Шувалова МГУ им. М.В. Ломоносова (1995 г.).