Асеев Александр Леонидович.

Асеев Александр Леонидович (1946, г. Улан-Удэ) - физик, специалист по атомной структуре, электронным свойствам и диагностике полупроводниковых систем пониженной размерности, микро- и наноструктур,

академик РАН (2006), Вице-президент РАН (c 2008)

Асеев Александр Леонидович родился 24 сентября 1946 г. в г. Улан-Удэ. В 1968 г. закончил Новосибирский государственный университет (НГУ) (физический факультет). После окончания НГУ начал работать Институте физики полупроводников (ИФП) им. А.В.Ржанова СО РАН, а в 2003 г. возглавил этот институт.

В 1975 г. Асеев Александр Леонидович защитил кандидатскую диссертацию «Формирование дислокационной структуры монокристаллических слоёв кремния и германия на различных подложках», в 1990 г. - защитил докторскую диссертацию «Структурные перестройки в кристаллах кремния и германия при большой скорости генерации точечных дефектов».

В 2000 г. Асеев Александр Леонидович избран членом-корреспондентом РАН по Отделению информатики, вычислительной техники и автоматизации РАН (специальность «элементная база микроэлектроники»), в 2006 г. - избран действительным членом (академиком) РАН по Отделению физических наук РАН (специальность "физика").

В настоящее время А.Л. Асеев – вице-президент РАН (c 02.06.2008 г.), председатель Сибирского отделения РАН (с 01.06.2008 г.), директор Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН.

Научная деятельность Александра Леонидовича Асеева посвящена изучению атомных механизмов формирования полупроводниковых систем пониженной размерности. Получил принципиально новые данные о роли метастабильных конфигураций точечных дефектов в реакциях взаимодействия между собой, с поверхностностью, атомами примесей и дислокациями в кристаллах кремния и германия. На поверхности кристаллов кремния впервые обнаружил обратимые переходы системы регулярно расположенных моноатомных ступеней при сублимации и росте примесно-индуцированных сверхструктурных доменов.

Александр Леонидович Асеев исследовал элементарные акты процессов эпитаксиального роста на кремнии. Результаты экспериментов стали основой для развития технологии молекуляр-но-лучевой эпитаксии и создания ряда приборов полупроводниковой электроники. Ведет работы по получению нанотранзисторов в структурах кремний-на-изоляторе, по разработке новых типов элементов памяти, элементов силовой электроники и солнечной энергетики на кремнии, по материаловедению кремния, направленные на получение высокосовершенных кристаллов большого диаметра.

Под руководством Александра Леонидовича Асеева в институте создан современный научно-технологический комплекс для исследования полупроводниковых микро- и наноструктур с квантовыми свойствами, обоснована технология молекулярно-лучевой эпитаксии для получения фоточувствительных слоев кадмий ртуть теллур и полупроводниковых структур с квантовыми ямами для нового поколения инфракрасных фотоприемных устройств.

Александр Леонидович Асеев - член Научных советов РАН по физике полупроводников, физико-химическим основам полупроводникового материаловедения, электронной микроскопии, заместитель председателя Научного совета «Фундаментальные проблемы создания элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем» РАН, председатель докторского диссертационного совета, член редколлегий журналов РАН «Физика и техника полупроводников» и «Автометрия», «Известия ВУЗов. Материалы электронной техники», «Crystal Research and Technology», «Микро- и наносистемная техника», «Российские нанотехнологии», электронного журнала «Surface Science and Nanotechnology».

Александр Леонидович Асеев - профессор филиала Кафедры физики полупроводников Томского государственного университета. Под его руководством защищено 4 кандидатских и 2 докторских диссертации.

Александр Леонидович Асеев – автор и соавтор 200 научных работ, из них 5 монографий и 9 патентов.

Александр Леонидович Асеев награжден медалью ордена «За заслуги перед Отечеством» II степени, грамотами и благодарностями Государственной Думы РФ, Федерального агентства по атомной энергии.