Грехов Игорь Всеволодович.

- Звание «Заслуженный изобретатель РФ», 1975

- Орден «Дружба народов», 1981

- Орден Почета, 1991

- Ленинская премия СССР, 1966

- Государственная премия СССР, 1987 (руководитель работы)

- Государственная премия РФ, 2002

- Премия Правительства РФ, 2006 (руководитель работы)

Грехов Игорь Всеволодович (1934, г.Смоленск) - Специалист в области силовой полупроводниковой электроники и импульсной техники, академик РАН (2008)

Игорь Всеволодович Грехов родился 10 сентября 1934г. в городе Смоленске. Окончил в 1958 г. Московское высшее техническое училище (МВТУ) им. Баумана.

В 1967 г. Игорь Всеволодович Грехов защитил кандидатскую, а в 1974 докторскую диссертацию в Физико-техническом институте (ФТИ) им. А.Ф. Иоффе.

В 1958—1962гг. Игорь Всеволодович Грехов — инженер, начальник лаборатории завода "Электровыпрямитель" (г. Саранск); В 1962—1988 гг. — младший, старший научный сотрудник, заведующий сектором, заведующий лабораторией Физико-технического института АН СССР. Игорь Всеволодович Грехов - руководитель Отделения твердотельной электроники Физико-технического института им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук (ФТИ РАН).

Член-корреспондент РАН c 07.12.1991 - Секция физики, энергетики, радиоэлектроники (электрофизика)

Академик РАН c 29.05.2008 - Отделение энергетики, машиностроения, механики и процессов управления (энергетика)

Грехов Игорь Всеволодович - является известным ученым в области силовой полупроводниковой электроники и импульсной техники.

В 1959-1966 гг. Грехов Игорь Всеволодович был одним из ведущих членов коллектива, создавшего в СССР силовое полупроводниковое приборостроение, что привело к радикальному улучшению технического уровня всех энергопотребляющих отраслей промышленности. За эти работы в 1966 г. И.В.Грехов был удостоен Ленинской премии.

Исследования, выполненные им в 1967-1975 гг., привели к созданию нескольких классов новых приборов общепромышленного и специального назначения, которые составили значительную часть серийного выпуска нашей промышленности и широко применяются в энергетике.

В 1975-1987 гг. им был выполнен цикл исследований, позволивший на порядки величины увеличить импульсную мощность полупроводниковых приборов и заложивших основу нового направления – силовой полупроводниковой импульсной электроники. В 1975 г. он выдвинул идею о возможности возбуждения ударно-ионизационного фронта в полупроводниковых структурах, приводящего к их быстрому –субнаносекундному – переключению. Эта идея была экспериментально подтверждена в 1979 г. на диодных, а затем динисторных структурах. Сейчас все мощные нано и субнаносекундные полупроводниковые генераторы с емкостными накопителями базируются на этих приборах. В 1983 г. И.В.Грехов с сотрудниками показали, что в определенных условиях процесс восстановления мощного полупроводникового диода при переключении из прямого смещения на обратное происходит исключительно быстро – за единицы наносекунд и менее – и может быть физической базой для разработки мощных размыкателей тока в системах с индуктивными накопителями. Такие размыкатели – дрейфовые диоды с резким восстановлением (ДДРВ) – сейчас являются основой наносекундных генераторов импульсов мощностью до сотен мегаватт. Переключение мегамперных токов за десятки микросекунд полупроводниковыми приборами стало возможным после того, как И.В.Грехов с сотрудниками разработали реверсивно-включаемый динистор (РВД) – прибор тиристорного типа, переключаемый однородно и одновременно по всей площади полупроводникового элемента любых размеров. На основе РВД разработаны самые мощные в мире полупроводниковые ключи (0.5 МА, 25 кВ) и много других устройств с уникальными характеристиками. Импульсные системы микро, нано и субнаносекундного диапазонов, базирующиеся на всех этих приборах, работают практически во всех развитых странах мира, а Россия сохраняет лидирующие позиции в силовой полупроводниковой импульсной электронике. За этот комплекс работ И.В.Грехову в 1987 г. была присуждена Государственная премия СССР.

Когда в институте академика Г.А.Месяца в Екатеринбурге был открыт «SOS-эффект», позволивший резко – до десятков гигаватт – увеличить мощность полупроводниковых наносекундных размыкателей, И.В.Грехов принял активное участие в разработке и экспериментальной проверке физической модели этого эффекта. В 2002 г. за эти работы он был удостоен Государственной премии России.

В 2001 г. И.В.Греховым с сотрудниками была показана принципиальная возможность возбуждения в полупроводниках сверхбыстрых туннельно-ударных ионизационных фронтов и создания мощных пикосекундных переключателей с уникальными характеристиками, а в 2002 г. был создан первый карбидкремниевый прибор импульсной электроники – субнаносекундный SiC-ДДРВ. В 2006 г. И.В.Грехову была присуждена премия Правительства РФ, как руководителю комплекса работ по созданию и освоению производства нового поколения мощных тиристоров и диодов.

В настоящее время И.В.Грехов совместно с промышленностью ведет работу по созданию в России новой отрасли – силовой электроники на основе карбида кремния, создание которой должно привести к радикальным изменениям в силовой преобразовательной и импульсной энергетике. Ведется также работа по созданию нового кремниевого прибора силовой электроники – интегрального тиристора с полевым управлением для мощных высоковольтных преобразователей.

Другим направлением работ И.В. Грехова в настоящее время является так называемая «прозрачная электроника» - создание активных приборов микро и наноэлектроники, прозрачных в видимой области спектра, а также исследование эффекта энергонезависимой памяти с неразрушающим считыванием в среде, состоящей из наночастиц сегнетоэлектрика, окруженных полупроводниковой оболочкой.

Под руководством И.В. Грехова защищено 30 кандидатских диссертаций, среди его учеников 10 докторов наук. И.В. Грехов является членом ряда научных советов, в том числе научного совета по мощной импульсной энергетике РАН, Совета по комплексной проблеме «Электрофизика, электроэнергетика и электротехника» РАН, Научно-Координационного совета Федеральной Целевой Программы 2008-2012 гг.

Греховым И.В. опубликованы 4 монографии, более 500 научных работ, он является автором свыше 150 изобретений и патентов.

Грехову И.В. присвоено почетное звание «Заслуженный изобретатель РСФСР» (1975). И.В. Грехов награжден орденом «Дружбы народов» (1981), орденом Почета (1999). Лауреат Ленинской премии СССР (1966) и Государственной премий СССР (1987), Государственной премии РФ (2002) и премии Правительства РФ (2006).