Латышев Александр Васильевич.

Латышев Александр Васильевич (1959, г. Булаево Северо-Казахстанской области) - Специалист в области нанотехнологий и диагностики низкоразмерных систем, член-корреспондент РАН (2008)

Латышев Александр Васильевич родился 4 января 1959 года в г. Булаево Северо-Казахстанской области. В 1981 г. окончил Новосибирский Государственный университет, затем занимался научной деятельностью в Институте физики полупроводников СО АН СССР (г. Новосибирск).

В 1990 г. Латышев Александр Васильевич защитил кандидатскую диссертацию «Структурные перестройки на поверхности кремния при сублимации, гомоэпитаксии и фазовых переходах по данным отражательной электронной микроскопии», а в 1998 г. защитил докторскую диссертацию «Атомные ступени на поверхности кремния в процессах сублимации, эпитаксии и фазовых переходов».

С 1998 г. А.В. Латышев является заведующим лабораторией «Нанодиагностики и нанолитографии», а с 2007 г. избран заместителем директора по научным вопросам Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН.

Член-корреспондент РАН c 29.05.2008 - Отделение нанотехнологий и информационных технологий (нанотехнологии, нанодиагностика)

Латышев Александр Васильевич – специалист в области нанотехнологий и диагностики низкоразмерных систем.

Сфера научной деятельности А.В. Латышева: in situ исследование структурных перестроек на поверхности полупроводников в процессах сублимации, эпитаксии и фазовых переходов; изучение структуры квантоворазмерных полупроводниковых систем методами электронной микроскопии атомного разрешения; развитие методов нанолитографии; осуществление комплексной диагностической и технологической поддержки многочисленных исследований в области нанотехнологий методами высокоразрешающей, сканирующей, отражательной электронной микроскопии, а также сканирующей зондовой микроскопии

А.В. Латышев является членом докторских диссертационных советов, редколлегий журналов «Surface Science and Nanotechnology» и «Вестник НГУ» (серия «Физика»), Научного совета Международной школы по материаловедению и электронной микроскопии (г. Берлин), экспертом РФФИ.

А.В. Латышев является профессором Кафедры физики полупроводников Новосибирского госуниверситета (НГУ), научным руководителем направления «Функциональные свойства наносистем и наноматериалов» в Научно-образовательном комплексе «Наносистемы и современные материалы» при НГУ, соруководителем научной школы «Атомные процессы и технологии создания низкоразмерных систем».

А.В. Латышев - автор и соавтор 130 научных работ, из них 1 монографии, 1 учебника и 3 патентов.

А.В. Латышев имел гранты Президента РФ.

А.В. Латышев награжден дипломами Фонда содействия отечественной науке и грамотой Министерства образования и науки РФ.